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    雪崩耐量即向半导体的结合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量成为雪崩耐量,该测试系统主要用于IGBT.FRD.MOS器件带脉冲及重复脉冲雪崩耐量此时。
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